日前發布的芯片采用氮化鋁襯底,導熱率高達170 W/m°K,可將連接器件的溫度降低25%以上,從而使設計人員能夠提高這些器件的功率處理能力,或延長現有工作條件下的使用壽命,同時保持每個器件的電氣隔離。由于避免了相鄰器件受熱負荷的影響,因此可提高整體電路的可靠性。

THJP系列器件容量低至0.07 pF,是高頻和熱梯應用的絕佳選擇。熱導體可用于電源和轉換器、射頻放大器、合成器、pin激光二極管以及AMS、工業和電信應用濾波器。
器件從0603到2512分為六種外形尺寸,同時可提供定制外形尺寸。0612和1225外形尺寸采用長邊端接提高導熱能力。熱跳線片式電阻有含鉛(Pb)和無鉛(Pb)卷包端接兩種類型供選擇。